Công nghệ, Samsung

Ổ SSD của Samsung nâng cấp công nghệ 3D V-NAND 101

Công nghệ 3D V-NAND sử dụng cấu trúc tế bào ô nhớ xếp chồng theo chiều dọc, chính là bước đột phá trong việc khắc phục những giới hạn dung lượng thường gặp phải ở cấu trúc NAND xếp ngang thường được sử dụng trong các bộ nhớ flash truyền thống. Công nghệ mới này giúp cải thiện đáng kể tốc độ xử lý, độ bền và tăng hiệu quả, giảm thiểu năng lượng sử dụng của thiết bị.

Cuộc cách mạng trong công nghệ bộ nhớ bán dẫn sẽ giúp thúc đẩy kỷ nguyên của IOT, nơi mà một lượng lớn dữ liệu sẽ cần phải được xử lý và chuyển giao nhanh hơn bao giờ hết.

Khoa Lâm

 

Tin liên quan